IGBT是一种继MOSFET之后集成度更高的功率半导体器件，也是当今高压大功率开关电路和变换电源中使用的主力晶体管之一。
它的全称为Insulated Gate Bipolar Transistor，直译为隔离栅双极晶体管，因此常被称为绝缘栅双极晶体管。
IGBT相较于其他功率晶体管，具有开关速度快，集成度高，输入电阻低，集电极饱和电压低等优点。同时，IGBT与MOSFET相比，由于其承载能力强，具有耐高压、耐大电流的优点，被广泛应用于大功率开关电路中。
IGBT在工业中应用十分广泛，比如作为电机驱动器的主要器件之一，在交流调速器、图像设备、音视频设备、家用电器中也有广泛的应用，它能够满足大功率设备对电流波形的要求，适应多种工作环境。
总之，IGBT功率集成度高、可靠性好、速度快、应用广泛，使得它成为当今大功率开关电路和变换电源中的主力晶体管，将在未来的工业领域中发挥越来越重要的作用。
你所不知道的IGBT是什么？
电力变频调速技术催生了大量的新型器件，其中最重要的一种是—智能功率模块（IPM）。智能功率模块的核心是一种高压高频开关器件—IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor).
IGBT是常用的一种功率半导体器件，具有大电流密度、高开关速度、低平均开关功耗、低驱动电压等特点。应用领域涵盖运动控制、电机驱动、太阳能逆变器、工业直流电源、交通信号等电力电子产品中。
IGBT的实质是一种晶体管开关，相对于MOSFET和BJT而言，在低压低频高电平上的性能和工艺是非常复杂的，是Si器件科技综合成果。在整个半导体中，IGBT是同时具有高压耐受性和低导通电压降特性的典型器件之一。
IGBT是什么，IGBT工作原理及应用
IGBT，即绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor），是一种应用广泛的开关功率器件。它由MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）和双极型晶体管的特点结合而成。IGBT具有MOSFET输入电阻低，控制电压低；双极型晶体管的输出电流高，输入电流低等特点，因此在高压高电流的控制电路中得到了广泛应用。
IGBT的工作原理是控制电压作用于栅极时，驱动控制电路输出一个电流控制IGBT的导通或截止。IGBT在导通状态下具有很小的导通电阻，能够承受大电流，输出功率比MOSFET大；而在截止状态下，具有很高的绝缘电阻，几乎不会有泄漏电流，因而在高压情况下具有更优异的可靠性。
IGBT的应用范围非常广泛，特别是在电力电子领域中得到了广泛应用。例如，IGBT可用作交流调压器，直流电源的开关，电机驱动器等。此外，IGBT还可用于电动汽车、太阳能电池等新能源应用的控制电路中，以及电焊机、UPS等市场日益增长的应用中。
